Perpustakaan UIN Jurai Siwo Lampung

ABSTRAK
SUNARSO, 2015, Pemanfaatan Energi Matahari Menggunakan Media Transistor Tipe 2N3055 Dan Oksida Tembaga Sebagai Penghasil Energi Listrik, Skripsi, Teknik Mesin Fakultas Teknik Universitas Muhammadiah Metro, Pembimbing: (1) Kemas Ridhuan, ST.M.Eng. Pembimbing (2) Dwi Irawan, ST.MT.
Kata Kunci: Energi Alternatif, Panel Surya, Transistor, Oksida Tembaga.
Krisis energi dan lingkungan akhir-akhir ini menjadi isu global. Pembakaran BBM dan batubara menghasilkan pencemaran lingkungan dan CO2 yang mengakibatkan pemanasan global. Kondisi ini mendorong dunia memanfaatkan sumber energi baru terbarukan (EBT) dan technologi bersih (Green Technology) pada semua proses teknologi maupun energi. Panel surya menggunakan media transistor 2N3055 dan oksida tembaga sebagai penghasil energi listrik merupakan bahan dasar untuk membuat media penghasil energi listrik alternatif. Dalam penelitian, panel surya ini memanfaatkan komponen-komponen yang banyak di pasaran, seperti transistor 2N3055 dan tembaga, sehingga dapat menjadi teknologi tepat guna untuk menghasilkan sebuah panel surya yang memanfaatkan energi matahari berupa cahaya matahari. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui sistim rangkaian pada penel surya tersebut dan untuk mengetahui daya yang dapat dihasilkan dari kedua media. Metode penelitian pada rangkainan modul panel surya ini menggunakan sistim rangkaian seri dimana rangkaian transistor dan oksida tembaga di rangkai secara seri dan digabungkan satu sama lain antara transistor dan oksida tembaga dengan rangkaian seri. Dengan menggunakan 50 biji transistor dengan luas modul 0,45 m2 bisa menghasilkan tegangan 17,50 V DC tanpa beban, dengan menggunakan beban menghasilkan tegangan 2,60 V DC dan arus sebesar 0,27 mA, kemudian menggunakan oksida tembaga 10 buah dengan luas modul 1,25 m2, menghasilkan tegangan sebesar 1,45 V DC tanpa beban dan arus 0,05 mA, sedangkan pada modul gabungan antara transistor dan oksida tembaga dengan luas 1,7 m2 , mengahasilkan tegangan sebesar 7,13 V DC tanpa beban, dengan menggunakan pembebanan menghasilkan tegangan sebesar 2,45 V DC dengan arus 0,13 mA. Dari penelitian ini diperoleh gambaran bahwa dengan menggabungkan transistor dan oksida tembaga, perangkat panel surya menjadi lebih ekonomis.